Эффект Холла в полупроводниках

Назначение

  • Изучение эффекта Холла;
  • Измерение зависимости ЭДС Холла от величины индукции магнитного поля и тока через образец;
  • Определение постоянной Холла и концентрации носителей тока в образце.

Устройство

Основу установки составляет электромагнит, в разрыв магнитопровода которого помещается исследуемый образец из полупроводникового материала и чувствительный элемент датчика магнитного поля. Для питания электромагнита и полупроводникового образца используются однополярные источники постоянного тока. Изменение направления магнитного поля и направления тока в образце производится с помощью переключения штекерных разъемов.

Описание

Выполнение лабораторной работы предусматривает т построение двух зависимостей а) зависимости ЭДС Холла от силы тока в образце при постоянной магнитной индукции и б) зависимости ЭДС Холла от индукции магнитного поля при постоянном токе через образец. Для этого компьютерный сценарий работы обеспечивает ввод данных в таблицы, вывод соответствующих столбцов на график в виде абсцисс и ординат точек, построение прямых, наилучшим образом аппроксимирующих данные и вывод на экран их угловых коэффициентов.

Зависимость ЭДС Холла от силы тока в образце

Зависимость ЭДС Холла от индукции магнитного поля

Мы открыты для общения

Гарантируем быструю реакцию
на обращения через форму обратной связи

Служба технической поддержки

(работа программного обеспечения, технические консультации)

+7(495)641-75-87

support@nau-ra.ru

Горячая линия по цифровой лаборатории «НАУРАША в стране Наурандии»

+7(495)766-24-23

support@naurasha.ru

Задать вопрос по продукции или заказу:

+7(985)291-77-50

manager@nau-ra.ru

Naumag (Manager)  Чат в Telegram по любым вопросам

Мы заботимся о качестве нашей продукции!